最新单晶炉热场结构ppt课件PPT课件 35页

'单晶炉热场结构ppt课件 内容1.热场结构热场的结构示意图；各部件介绍2.热场的安装和煅烧热场的安装；热场水平与中心调整；热场的煅烧3.热场的温度梯度热场的概念；温度梯度的概念；静态热场的温度分布；动平衡态热场的分布晶体生长的温度梯度：径向温度梯度与纵向温度梯度 石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘石墨坩埚，也就是所谓的三瓣埚，主要是用来盛放石英坩埚。它的内径加工尺寸与石英坩埚的外形尺寸相配合，同时，石墨坩埚本身也需要具有一定的强度，来承受硅料和坩埚的重量。石墨坩埚，有单体，两瓣合体，以及CZ1#所使用的三瓣合体等不同形状。它们从节约成本、使用方便来比较各有所长。右图为三瓣埚的实物图。 坩埚托杆、坩埚托盘共同构成了石墨坩埚的支撑体，要求和下轴结合牢固，对中性良好，在下轴转动时，托杆及托盘的偏摆度≤0.5mm。支撑体的高度是可以调节的，这样可以保证熔料时，坩埚有合适的低埚位，而拉晶时，有足够的埚跟随动行程。石墨坩埚、坩埚托杆和坩埚托盘 保温罩保温罩分为上保温罩、中保温罩和下保温罩。保温罩是由一个保温筒外面包裹石墨碳毡而成。石墨碳毡的包裹层数视情况而定。下保温罩组成了底部的保温系统，它的作用是加强埚底保温，提高埚底温度，减少热量损失。 中、上保温罩的作用也是为了减少热量的损失。只不过保温罩外面的石墨碳毡的层数不一样，这样使得温度梯度不一样。排气的方式有上排气和下排气。CZ1#厂房现在使用的比较多的是上排气。这样，上保温罩上面就存在几个排气孔，这些排气孔保证在高温下蒸发的气体的排出。保温罩 保温盖、导流筒保温盖由保温上盖、保温碳毡和保温下盖组成。即两层环状石墨之间夹一层石墨碳毡组成，其内径的大小与导流筒外径相匹配，平稳的放在保温罩面板上。导流筒，由内外筒之间夹一层石墨碳毡组成。导流筒主要是为了控制热场的温度梯度和引导氩气流。 压环压环，由几截弧形环构成的一个圆形环状石墨件，它放置在盖板与炉壁接触处，是为了防止热量和气体从炉壁与盖板的缝隙间通过。右上图是压环，右下图为安装后的效果图。 (1)安装前安装热场前，尤其是新热场，应仔细擦拭干净，去除表面浮尘土，检查部件的质量，整个炉室在进行安装热场前也必须擦拭完毕。(2)安装安装顺序一般是由下而上，由内到外。石墨电极安装时，左右对齐，处在同一水平面上，不可倾斜，同时要和托杆对中。放上加热器之后，加热器的电极孔要与下面的电极板的两孔对准。二、热场的安装与煅烧 安装电极→炉底碳毡→反射底板→下保温罩→石墨环、石英环→加热器→中保温罩→石墨托杆→石墨托盘→装三瓣埚→下降主炉室→上保温罩→导气孔→保温盖板→装导流筒→压环热场安装顺序示意图二、热场的安装与煅烧 (3)对中顺序在整个安装过程中，要求整个热系统对中良好，同心度高，需要严格对中：①坩埚轴与加热器的对中。将托杆稳定的装在下轴上，将下轴转动，目测是否偏摆。然后将钢板尺平放在坩埚轴上，观察两者之间的间隙，间隙是否保持不变，加热器圆心是否对中。接着装托盘，托盘的中心也要跟加热器对中。二、热场的安装与煅烧 ②加热器与石墨坩埚的对中：转动托碗，调整埚位，让石墨坩埚与加热器口水平（此时的埚位成为平口埚位），再稍许移动加热器电极，与托碗对中，这时石墨坩埚和加热器口之间的间隙四周都一致。二、热场的安装与煅烧 ③保温罩和加热器对中：调整保温罩位置，做到保温罩内壁与加热器外壁之间四周间隙一致。注意可径向移动，不得转动，否则测温孔就对不准了。④保温盖和加热器对中：升起托杆，让三瓣锅其与保温盖水平，调整保温盖的位置，使得四周间隙一致。此外:⑤下保温罩和电极之间的间隙前后一致，切不可大意造成短路打火。⑥测温孔对一致。二、热场的安装与煅烧 (4)煅烧新的热场需要在真空下煅烧，煅烧时间约10小时左右，煅烧3～5次，方能投入使用。使用后，每拉晶4～8炉后也要煅烧一次。煅烧功率，不同的热场不一样，一般要比引晶温度高，CZ1#炉子煅烧最高功率一般在110KW。二、热场的安装与煅烧 (1)热场的概念热场也称温度场。热系统内的温度分布状态叫热场。煅烧时，热系统内的温度分布相对稳定，称为静态热场。在单晶生长过程中，热场是会发生变化，称为动态热场。单晶生长时，由于不断发生物相的转化(液相转化为固相)，不断放出固相潜热，同时，晶体越拉越长，熔体液面不断下降，热量的传导、辐射等情况都在发生变化，所以热场是变化的，称为动态热场。三、热场的温度梯度 (2)温度梯度的概念为了描述热场中不同点的温度分布及分布状态，下面给大家介绍一个“温度梯度”这个概念。温度梯度是指热场中某点A的温度指向周围邻近某点B的温度的变化率。也即单位距离内温度的变化率。三、热场的温度梯度 如下图所示，A点到B点的温度变化为T1-T2，距离变化为r1-r2。那么A点到B点的温度梯度是：通常用表示在r方向上的变化率。三、热场的温度梯度 显然两点间的温度差越大，则越大，则温度梯度越大，反之，两点间温度差越小，则越小，则温度梯度越小，如果说明由A点到B点温度是升高的，如果说明由A点到B点的温度是下降的。三、热场的温度梯度 (3)静态热场的温度分布下图为静态热场的温度分布状况：沿着加热器中心轴线测量温度的变化发现加热器的中心温度最高，向上向下都是逐渐降低的，它的变化率称为纵向温度梯度，用表示。三、热场的温度梯度 然后沿着轴线上某点沿着径向测量，发现温度是逐渐上升的，加热器中心温度最低，加热器温度最高，成抛物线变化，它的变化率称为径向温度梯度，用表示。三、热场的温度梯度 (4)晶体生长时的温度梯度单晶硅生长时，热场中存在固体、熔体两种形态。温度梯度也有两种：晶体中的纵向温度梯度和径向温度梯度。熔体中的纵向温度梯度和径向温度梯度。这是两种完全不同的温度分布，但是最能影响结晶状态的生长界面处的温度梯度。三、热场的温度梯度 晶体生长时，单晶硅的纵向温度梯度粗略的讲：离生长界面越远，温度越低，即①只有足够大：才能使单晶硅生长产生的结晶潜热及时传走，散掉，保持界面温度稳定。②如果较小：晶体生长产生的结晶潜热不能及时散掉，单晶硅温度增高，结晶界面温度随着增高，熔体表面的过冷度减少，单晶硅的正常生长就会受到影响。③但是，如果过大：则可能产生新的不规则晶核，使单晶变成多晶，同时，熔体表面过冷度增大，单晶可能产生大量结构缺陷。总之，晶体的纵向温度梯度要足够大，但不能过大。三、热场的温度梯度 晶体生长时，熔体的纵向温度梯度概括地说，离液面越远温度越高。即①温度梯度较大时：离开液面越远，温度越高，即使有较小的温度降低，生长界面以下熔体温度高于结晶温度，不会使局部生长较快，生长界面较平坦，晶体生正是稳定的。②温度梯度较小时，结晶界面以下熔体温度与结晶温度相差较少，熔体温度波动可能产生新晶核，可能使单晶硅发生晶变。单晶硅生长不稳定。③特殊情况下，是负值，即离开结晶界面越远，温度越低，熔体内部温度低于结晶温度，从而产生新的自发晶核，单晶硅也会长入熔体形成多晶，这种情况下，无法进行单晶生长。三、热场的温度梯度 热场的径向温度梯度，包括晶体、熔体、固液交界面三种晶向温度梯度。①晶体的径向温度梯度是由晶体的纵向、横向热传导，表面辐射以及在热场中新处的位置决定，一般来说，中心温度高高，晶体边缘温度低，即②熔体的径向温度梯度主要是靠四周的加热器决定的，所以中心温度低，靠近坩埚处温度高，径向温度梯度总是正数，即三、热场的温度梯度 ③在晶体生长过程中，结晶界面处的径向温度梯度是变化的，将晶体纵剖，作结晶界面显示，如下图所示。晶体生正过程中变化情况三、热场的温度梯度 单晶硅最初等直径生长时，生长界面的径向温度梯度是正数，即随着单晶不断生长，结晶界面由凸向熔体逐渐变平，生长界面的径向温度梯度逐渐等于0。一般来说，单晶硅中部结晶界面平坦，单晶逐渐生长到尾部，生长界面由平逐渐凹向熔体，越接近单晶尾部，生长界面越凹。这说明生长界面的径向温度梯度由等于0变成<0，而且负值越来越小。在坩埚里整个熔硅表面，由于熔硅传热，单晶硅散热和结晶放出结晶潜热，单晶生长时，最初可近似认为熔硅表面径向温度梯度，生长到单晶中部时，近似可看作，单晶硅尾部生长时，由小于0转为大于0。 总之，合理的热场的温度分布需要满足以下条件：①晶体中纵向温度梯度足够大，但不能过大，保证晶体生长中有足够散热能力，带走结晶潜热。②熔体中的纵向温度梯度比较大，保证熔体内不产生新的晶核，但是，过大容易产生位错，造成断苞。③结晶界面处的纵向温度梯度适当的大，从而形成必要的过冷度，使单晶有足够的生长动力，不能太大，否则会产生结构缺陷，而径向温度梯度要尽可能小，即，使结晶界面趋于平坦。 Thanks！ '