最新低互调无源产品设计规范模板课件PPT.ppt 59页

'低互调无源产品设计规范模板 序言本讲座试图给出减少滤波器、双工器、合路器和塔顶放大器（TowerMountedAmplifier）等产品无源交调(PIM-passiveintermodulation)的设计规范。遵循这些规范，设计师可以设计出低PIM产品。设计规范涉及4类问题：金属接触；铁氧体材料；电镀其它 金属接触有电流通过非理想金属接触处会产生PIM（无缘交调）。一般有3种方法来防止PIM：减少关键区域中的电流密度提高金属的接触质量（螺钉处的接触和焊点处的接触）从PIM的产生和测量来考虑增加隔离 在那些电流大的区域避免尖锐的边缘，这些尖角也使电镀变困难。耦合窗口方形谐振器a)减少关键区域中的电流密度的方法 a)减少关键区域中的电流密度的方法连接线。在可能的情况下，连接线使用圆柱形比带状更好。如果只能用带状，最好把边倒圆角。谐振器顶部(阶梯阻抗谐振器中间) a)减少关键区域中的电流密度的方法谐振器和腔体连接的跟部腔体内部 尽可能使用大的腔体。天线结点附近的腔体要用更大的尺寸。连接线尽可能用更粗或更宽的（例如接头导线、同轴线、带状线、输入输出抽头）。在低通滤波器高阻抗段避免直径太小(<1.5mm)； 接头导线、同轴线和带状线尽可能尝试使用连贯和均匀的形状避免使用分段的谐振器。如果为了温度补偿一定要用分段谐振器，需要使用尽可能高的基座（以减少不连续区域中的电流）。尽管其它谐振器都是分段的，第一个谐振器（靠近天线结点的那个谐振器）也可以考虑不使用分段结构（但是对窄带滤波器而言这几乎是不现实的）。分段谐振器直径不能太小（<1/4腔体尺寸）。 设计腔体时，尽量选用最大可用的高度。避免小的间隙（检查耦合螺钉与窗口底部和耦合螺钉与交叉耦合结构之间的距离）耦合结构尽量简单，实现一组对称的传输零点，尽量采用1个CQ结构的交叉耦合而不是2个CT结构来实现。 b)提高关键区域接触质量（螺钉处的接触和焊点处的接触的方法）固定盖板的螺钉孔与滤波器壳体之间要留有间隙。用平锥头螺钉固定盖板要优于平头螺钉。同时考虑使用更粗的固定螺钉。 确保滤波器上每个固定螺孔周围有足够的材料包裹减小盖板与滤波器壳体顶部之间接触的多余区域，可以去掉无用的材料，也可以改变腔体的形状。 避免平行排列的盖板螺钉之间的距离过近。如果不能避免，要指定拧上盖板螺钉的路径/顺序。避免盖板与滤波器顶部的接触区域太薄（<3mm），尤其在盖板边缘处。 在滤波器的顶部有长而薄的排骨状的结构，固定螺钉无法放置的地方挖去一些材料（例如1mm）减少存在电流的金属-金属的接触区域端面接触区域使用环形凸台。 分段谐振器底部去掉一部分金属材料，减少接触面积。在上面一节谐振杆上挖一个槽；在两个金属结构接触的表面采用精密加工，例如：滤波器盖板加载谐振器 在那些表面电流较强的地方设置固定盖板的螺钉。距离谐振器最近的位置耦合窗口边缘附近的位置 尽可能在低通滤波器的高阻抗线附近的位置与垂直放置的传输线一致的位置在关键区域使用足够多的固定螺钉来确保盖板盖紧（一般而言不超过15mm） 要注意妨碍正常接触的部分，务必要留出足够的机械装配公差，例如：谐振器基座围绕接头的涂料焊点的数量尽可能少。考虑用螺钉式的结构或者一体化的解决方案。耦合窗口可以代替耦合环用抽头线或者焊接回路代替螺钉连接。考虑采用一体式的接头 在滤波器腔体上尽量避免使用感应焊焊接。使焊点容易操作和检查，并且焊锡很容易流向焊点周围。避免两个（或多个）焊点离的太近。 c)减少无源互调泄露的方法把有高的过电压和电流的TX腔体放置在TX输入端口附近（典型的是一些有较强负交叉耦合的腔体）把有高的过电压和电流的RX腔体放置在RX输出（LNA）端口附近（通常是一些有较强正交叉耦合的腔体）建议不要把低通滤波器放置在公共结点和天线端口之间。把低通滤波器放置在TX输入端口之前，如果对RX有带外要求，可以在RX输出（LNA）端口之后再放置一个单独的低通滤波器。这个原则不适用于TMAs(塔顶放大器),因为在这种情况下ANT（天线）和BTS（基站收发台）都有PIM的要求。 把PIM泄露的可能性降到最低。我们可以增加固定螺钉的数量，或者使用分离的盖板，或者减小边界的长度来降低泄露的可能性。一般而言潜在的泄露发生在以下几种边界处：RX和TX滤波器之间的边界天线连接线和TX滤波器之间的边界偏执电路和TX滤波器之间的边界 铁磁材料如果表面有铁磁材料，它可以吸收大部分的电流并产生PIM。当在RF滤波器中使用这种材料时要特别注意。螺钉其他部分 a)螺钉用镀银的螺钉（不用钢制的螺钉或其他铁磁材料）来固定滤波器腔体中的以下部分：用Ultem支撑的探针用Ultem支撑的传输线一种代替焊接的输入输出抽头一种替代耦合环的正的交叉耦合线注：Ultem是美国通用公司生产的聚醚酰亚胺（PEI）塑料 如果谐振器开孔深度不够（<5mm）在固定螺钉周围谐振器有打通的开孔需要使用镀银的固定螺钉（不用钢制的螺钉或其他铁磁材料）来固定分段谐振器，另外，也可以考虑在腔体底部安装谐振器的固定螺钉。 避免钢制的螺钉（例如固定接头的螺钉、固定PCB板的螺钉）直接伸入腔体内部。可以用小的基座把螺钉包起来。b)其他部分使用分段谐振杆结构的时候，谐振器的材料选用黄铜而不用钢。 电镀避免表面有凹凸的棱角。这些区域电镀会很困难。选择合适成分和厚度的电镀。如果必须要用镍打底，那么只镀一个薄层或者用无磁性的（磷的）镍。在低IMD（交调失真）的环境下铁磁材料上面的涂层厚度至少要有4-5倍趋肤深度的厚度。试着让电镀的厚度分布均匀一些。尽可能避免用长的或者深的孔和槽。可以打开一些外壁让电镀更容易一些。 其他让有源和无源的PIM（例如低噪放、隔离器、防雷电路、表面贴装器件、集总元件等）在TX频段有足够的衰减在两个双工器的结构中尽可能分离的盖板。为了维护和维修方便，低通、偏置电路和滤波器也尽可能用分离的盖板。避免一些会造成PIM不稳定的松动的结构。这些结构可以用绝缘体支撑或者充分压紧。 产生PIM的关键区域:天线接头区域天线和低通公共谐振杆和T型结TX滤波器RX滤波器的第一个谐振器(靠近公共谐振杆和T型结)偏置电路 肝性脑病（HepaticEncephalopathy）徐子山学时数：2学时 学习目的和要求1.了解肝性脑病的发病原理2.熟悉肝性脑病的诊断和鉴别诊断3.掌握肝性脑病的临床表现和治疗方法 讲授主要内容定义病因和发病机制临床表现实验室和其他检查诊断和鉴别诊断治疗 定义肝性脑病：是严重肝病引起的、以代谢紊乱为基础、中枢神经系统功能失调的综合征，其主要表现是意识障碍、行为失常和昏迷,又称肝性昏迷（hepaticcoma）。门体分流性脑病(porto-systemicencephalopathy，PSE)：强调门静脉高压，肝门静脉与腔静脉之间有侧枝循环存在，从而使大量门静脉血绕过肝流入体循环，是肝性脑病发生的主要机制亚临床或隐性肝性脑病（subclinicalorlatentHE）：指无明显临床表现和生化异常，仅能用精细的心理智能试验和/或电生理检测才可作出诊断的肝性脑病 病因和发病原理各型肝硬化门体分流手术暴发性肝衰竭：重症病毒性肝炎中毒性肝炎药物性肝病原发性肝癌和继发性肝癌妊娠期急性脂肪肝严重胆系感染病因 诱因上消化道出血大量排钾利尿、放腹水高蛋白饮食催眠镇静药、麻醉药便秘尿毒症外科手术感染 病理生理基础：肝细胞功能衰竭和门体分流存在氨中毒学说-氨基丁酸/苯二氮卓（GABA/BZ）复合体学说胺、硫醇和短链脂肪酸的协同毒性作用假性神经递质学说氨基酸代谢不平衡学说发病原理 氨中毒学说一、氨的形成和代谢1、氨的形成胃肠道：血循环弥散至胃肠道尿素经尿素酶分解（4g)，食物中的蛋白质被细菌的氨基酸氧化酶分解肾脏：肾小管上皮细胞、谷胺酰胺酶分解谷胺酰胺为氨骨骼肌和心肌NH4NH3H+OH－+ 2、氨的清除肝脏：鸟氨酸代谢环形成尿素脑、肝、肾：-酮戊二酸+NH3→谷氨酸谷氨酸+NH3→谷氨酰胺肾脏排氨：排尿素、排酸的同时也以NH4+形式大量排氨肺：血氨过高时，肺部呼出少量 二、肝性脑病时血氨增加的原因生成过多清除减少：肝功能衰竭时清除能力降低门体分流氨绕过肝脏进入体循环 相关诱因对血氨的影响摄入过多的含氮食物低钾性碱中毒：促使NH3透过血脑屏障低血容量与缺氧：致肾前性氮质血症，血氨增高，降低脑对氨毒的耐受性消化道出血：肠腔内血液分解成氨便秘：有利于毒性产物吸收感染：增加组织分解产氨，加重氮质血症，缺氧和高热增加氨的毒性。肝病患者肠道细菌生长活跃、产氨增多低血糖：脑内去氨活性降低、氨毒性增加其他：镇静、催眠药抑制大脑呼吸中枢造成缺氧。麻醉和手术增加肝、脑、肾的负担 三、氨对中枢神经的毒性作用干扰脑的能量代谢、引起高能磷酸化合物浓度降低抑制丙酮酸脱氢酶活性，影响乙酰辅酶A的生成，干扰脑的能量代谢NH3+-酮戊二酸→谷氨酸、谷氨酸+NH3谷胺酰胺合成酶谷胺酰胺，消耗大量ATP、-酮戊二酸，生成大量谷胺酰胺。谷胺酰胺可导致星形细胞肿胀、脑水肿-酮戊二酸是三羧酸循环中重要的中间产物，缺少则脑细胞能量供应不足谷氨酸是大脑重要的兴奋性神经介质氨还直接干扰神经传导而影响大脑的功能 -氨基丁酸/苯二氮卓(GABA/BZ)复合体学说GABA/BZ复合体GABABZ巴比妥类氯离子进入突触后神经元神经传导抑制 胺、硫醇和短链脂肪酸的协同毒性作用肝臭长链脂肪蛋氨酸意识障碍肝性脑病细菌甲基硫醇三甲基亚砜短链脂肪酸胺细菌 假性神经递质学说兴奋性神经递质抑制性神经递质去甲肾上腺素、多巴胺、乙酰胆碱、谷氨酸和门冬氨酸-羟酪胺、苯乙醇胺酪氨酸、苯丙氨酸酪胺苯乙胺-羟化酶脱氢酶 氨基酸代谢不平衡学说芳香族氨基酸（AAA）：苯丙氨酸、酪氨酸、色氨酸支链氨基酸（BCAA）：缬氨酸、亮氨酸、异亮氨酸BCAA/AAA：正常>3HE<1胰岛素↑→肌肉分解BCAA↑BCAA与AAA竞争通过血脑屏障，AAA↑→脑内5-HT↑→大脑抑制 临床表现取决于：原有肝病的性质肝细胞损害的轻重缓急诱因 HE的临床分类急性HE：见于急性肝功能衰竭，明显肝功能受损，诱因不明显，无门体分流，有脑水肿，颅内压↑。起病数日即昏迷甚至死亡，可无前驱症状慢性HE：门体分流性肝性脑病，由于门体分流和慢性肝功衰所致。肝功能受损、明显PSS，常见于LC、门体分流手术后、TIPS。以慢性反复发作性木僵和昏迷为突出表现，常有诱因亚临床型HE：不同程度的肝功能受损、不同程度PSS、需神经心理测试 HE的临床分期根据意识障碍程度、神经系统表现及脑电图改变，分四期I期（前驱期）：轻度性格改变和行为失常，扑翼样震颤，EGG多数正常II（昏迷前期）：以意识错乱、睡眠障碍、行为失常为主，定向力和理解力均减退，对时、地、人的概念混乱，不能完成简单的计算和智力构图，言语不清、书写障碍。多有睡眠倒错，精神症状。此期有明显的神经体征。腱反射亢进、肌张力增高、锥体束征阳性，扑翼样震颤存在，EGG有特征性改变 III期（昏睡期）：昏睡和精神错乱为主，大部份时间呈昏睡状态，但可唤醒。肌张力增高、四肢被动运动常有抵抗力。锥体束征阳性，扑翼样震颤存在，EGG异常IV期（昏迷期）：神志完全丧失，不能唤醒。浅昏迷、深昏迷。扑翼样震颤无法引出，EGG明显异常以上各期的分界不很清楚，前后期临床表现可有重叠 急性肝性脑病-急性肝功能衰竭表现慢性肝性脑病-肝硬化或门体分流原发肝病表现 实验室和其他检查血氨：慢性HE多↑，急性多正常脑电图检查：节律变慢，4～7次/秒的波或三相波，也有1～3次/秒的波诱发电位：有视觉诱发电位（VEP）、听觉诱发电位（AEP）和躯体感觉诱发电位（SEP）。SEP价值较大心理智能测验：对于诊断早期HE包括亚临床HE最有用，常用数字连接试验和符号连接试验影像学检查：急性者可发现脑水肿；慢性者可有脑萎缩 诊断和鉴别诊断主要诊断依据严重肝病和/或广泛门体分流精神错乱、昏睡或昏迷肝性脑病的诱因明显的肝功能损害或血氨增高扑翼样震颤和典型的脑电图改变有重要参考价值。心理智能测验可发现亚临床肝性脑病鉴别诊断：与精神病和其他可引起昏迷的疾病相鉴别 治疗一、消除诱因禁用麻醉、镇痛、催眠、镇静类药物，必要时可用东莨菪碱、异丙嗪及时控制感染及上消化道出血避免快速和大量、排钾利尿和放腹水纠正水、电解质和酸碱平衡失调 二、减少肠内有毒物的生成和吸收饮食：开始数日禁食蛋白质，以碳水化合物为主，加用必需氨基酸。神清后逐步增加蛋白质至40～60g/d，以植物蛋白最好灌肠或导泻：清除肠内积食、积血生理盐水或弱酸性溶液灌肠33%硫酸镁30～60ml导泻乳果糖灌肠：首选抑制细菌生长：抗生素应用乳果糖口服：30～60g/d，分3次 三、促进有毒物质的代谢清除，纠正氨基酸代谢的紊乱降氨药物：谷氨酸钾、谷氨酸钠盐酸精氨酸：10～20g鸟氨酸门冬氨酸：20g/d支键氨基酸GABA/BZ复合体受体拮抗药：荷包牡丹碱氟马西平人工肝 四、肝移植五、其他对症治疗纠正水、电解质和酸碱平衡失调保护脑细胞功能保持呼吸道通畅防治脑水肿 预后诱因明确且易消除者预后较好肝功能较好的门体性脑病预后较好肝功能差者预后较差暴发性肝功衰所致的HE预后最差 复习思考题1.识记：肝性脑病的定义，临床四期的临床表现，肝性脑病的诊断和鉴别诊断。2.领会：肝性脑病的发病原理。3.应用：肝性脑病的治疗方法和预后的判断。'