最新康华光模拟第3章三极管及其放大电路基础.课件PPT.ppt 104页

'康华光模拟第3章三极管及其放大电路基础. 半导体三极管频率：高频管、低频管功率：材料：小、中、大功率管硅管、锗管类型：NPN型、PNP型半导体三极管是具有电流放大功能的元件 晶体三极管的结构发射结集电结基极发射极集电极晶体三极管是由两个PN结组成的发射区基区集电区 三极管的放大作用发射结外加电压~~~ 半导体三极管的特性曲线iB是输入电流，vBE是加在B、E两极间的输电压。输入特性曲线—iB=f(vBE)vCE=常数共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。导通电压锗管0.1~0.3V硅管0.6~0.8V 输出特性曲线—iC=f(vCE)iB=常数iC是输出电流，vCE是输出电压。⑴放大区：发射结正偏、集电结反偏⑵截止区：IB=0以下的区域。⑶饱和区：发射结和集电结均为正偏。IC随着VCE的变化而迅速变化。工程上以VCE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线。VCE大于0.7V左右(硅管)。发射结和集电结均为反偏。 动画2-2 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止饱和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大Vc>Vb>Ve放大Vc