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'模拟电子技术基础简明教程(第三版) 第一节半导体的特性本征半导体杂质半导体 1.半导体(semiconductor)共价键covalentbond半导体的定义：将导电能力介于导体和绝缘体之间的一大类物质统称为半导体。大多数半导体器件所用主要材料是硅和锗一、本征半导体(intrinsicsemiconductor)价电子在硅(或锗)的晶体中,原子在空间排列成规则的晶格。晶体中的价电子与共价键+4+4+4+4+4+4+4+4+4 1.N型（或电子型）半导体(N-typesemiconductor)二、杂质半导体则原来晶格中的某些硅原子将被杂质原子代替。杂质原子与周围四个硅原子组成共价键时多余一个电子。这个电子只受自身原子核吸引，在室温下可成为自由电子。在4价的硅或锗中掺入少量的5价杂质元素，在本征半导体中掺入某种特定的杂质，就成为杂质半导体。+5+4+4+4+4+4+4+4+4自由电子 +5+4+4+4+4+4+4+4+4失去自由电子的杂质原子固定在晶格上不能移动，并带有正电荷，称为正离子。在这种杂质半导体中，电子的浓度大大高于空穴的浓度。因主要依靠电子导电，故称为电子型半导体。多数载流子majoritycarrier少数载流子minoritycarrier5价的杂质原子可以提供电子，所以称为施主原子。 +3+4+4+4+4+4+4+4+4在硅或锗晶体中掺入少量的3价杂质元素，空位2.P型半导体(P-typesemiconductor)当它与周围的硅原子组成共价键时，将缺少一个价电子，产生了一个空位。空位为电中性。 硅原子外层电子由于热运动填补此空位时，杂质原子成为负离子，硅原子的共价键中产生一个空穴。在这种杂质半导体中，空穴的浓度远高于自由电子的浓度。+3+4+4+4+4+4+4+4+4空穴在室温下仍有电子–空穴对的产生和复合。多数载流子P型半导体主要依靠空穴导电，所以又称为空穴型半导体。3价的杂质原子产生多余的空穴，起着接受电子的作用，所以称为受主原子。少数载流子 在杂质半导体中：杂质浓度不应破坏半导体的晶体结构，多数载流子的浓度主要取决于掺入杂质的浓度；而少数载流子的浓度主要取决于温度。杂质半导体的优点：掺入不同性质、不同浓度的杂质，并使P型半导体和N型半导体以不同方式组合，可以制造出形形色色、品种繁多、用途各异的半导体器件。总结 第二节半导体二极管PN结及其单向导电性二极管的伏安特性二极管的主要参数稳压管 -++++++++++++-----------PN1.PN结中载流子的运动-++++++++++++-----------空间电荷区内电场UD又称耗尽层，即PN结。最终扩散(diffusion)运动与漂移(drift)运动达到动态平衡，PN结中总电流为零。内电场又称阻挡层，阻止扩散运动，却有利于漂移运动。硅约为（0.6~0.8）V锗约为（0.2~0.3）V一、PN结及其单向导电性扩散漂移 NP-++++++++++++-----------RV正向电流外电场削弱了内电场有利于扩散运动，不利于漂移运动。空间电荷区变窄2.PN结的单向导电性加正向电压+-U耗尽层内电场UD-U外电场I称为正向接法或正向偏置（简称正偏，forwardbias)PN结处于正向导通(on)状态，正向等效电阻较小。 +-U-++++++++++++-----------RV称为反向接法或反向偏置（简称反偏）一定温度下，V超过某一值后I饱和，称为反向饱和电流IS。结论：PN结具有单向导电性：正向导通，反向截止。内电场外电场UD+U空间电荷区外电场增强了内电场有利于漂移运动，不利于扩散运动。反向电流非常小，PN结处于截止(cut-off)状态。加反向电压I反向电流IS对温度十分敏感。动画PN 二、二极管的伏安特性阳极从P区引出，阴极从N区引出。1.二极管的类型从材料分：硅二极管和锗二极管。从管子的结构分：对应N区对应P区点接触型二极管，工作电流小，可在高频下工作，适用于检波和小功率的整流电路。面接触型二极管，工作电流大，只能在较低频率下工作，可用于整流。开关型二极管，在数字电路中作为开关管。二极管的符号阳极anode阴极cathode 302010I/mAUD/V0.51.01.5201024-I/μАO正向特性死区电压IsUBR反向特性+-UDI2.二极管的伏安特性 当正向电压超过死区电压后，二极管导通,电流与电压关系近似指数关系。硅二极管为0.7V左右锗二极管为0.2V左右死区电压正向特性0.51.01.5102030U/VI/mA0二极管正向特性曲线硅二极管为0.5V左右锗二极管为0.1V左右死区电压：导通压降：正向特性 反偏时，反向电流值很小，反向电阻很大，反向电压超过UBR则被击穿。IS反向特性UBR结论：二极管具有单向导电性，正向导通，反向截止。二极管方程：反向饱和电流反向击穿电压若|U|>>UT则I≈-IS式中：IS为反向饱和电流UT是温度电压当量，常温下UT近似为26mV。反向特性-2-4-I/μAI/mAU/V-20-100若U>>UT则 三、二极管的主要参数最大整流电流IF指二极管长期运行时，允许通过管子的最大正向平均电流。IF的数值是由二极管允许的温升所限定。最高反向工作电压UR工作时加在二极管两端的反向电压不得超过此值，否则二极管可能被击穿。为了留有余地，通常将击穿电压UBR的一半定为UR。反向电流IR室温条件下，在二极管两端加上规定的反向电压时，流过管子的反向电流。通常希望IR值愈小愈好。IR受温度的影响很大。 最高工作频率fMfM值主要决定于PN结结电容的大小。结电容愈大，则二极管允许的最高工作频率愈低。二极管除了具有单向导电性以外，还具有一定的电容效应。势垒电容Cb由PN结的空间电荷区形成，又称结电容，反向偏置时起主要作用。扩散电容Cd由多数载流子在扩散过程中的积累引起，正向偏置时起主要作用。 [例1.2.1]已知uI=Umsinωt，画出uO和uD的波形VDR+-+-uIuO+-uDiOUmωtuoOωtuDOuI＞0时二极管导通，uO=uIuD=0uI＜0时二极管截止，uD=uIuO=0-UmioUmωtuIO [例1.2.2]二极管可用作开关VVDVSVVDVS正向偏置，相当于开关闭合。反向偏置，相当于开关断开。 四、稳压管稳压管是一种面接触型二极管，与二极管不同之处：1.采用特殊工艺，击穿状态不致损坏；2.击穿是可逆的。符号及特性曲线如下图所示：ΔUΔI+-IUO稳压管的伏安特性和符号ΔUΔI值很小有稳压特性阴极阳极 稳定电压UZ：稳压管工作在反向击穿区时的工作电压。2.稳定电流IZ：稳压管正常工作时的参考电流。3.动态内阻rZ：稳压管两端电压和电流的变化量之比。rZ=ΔU/ΔI4.电压的温度系数αU：稳压管电流不变时，环境温度对稳定电压的影响。5.额定功耗PZ：电流流过稳压管时消耗的功率。主要参数： 使用稳压管组成稳压电路时的注意事项：稳压管必须工作在反向击穿区。稳压管应与负载RL并联。必须限制流过稳压管的电流IZ。UORLVDZRUIIRIOIZ++--稳压管电路 [例1.2.3]电路如图所示，已知UImax=15V，UImin=10VIZmax=50mA，IZmin=5mA，RLmax=1kΩ，RLmin=600ΩUZ=6V,对应ΔUZ=0.3V。求rZ，选择限流电阻ROUORLVDZRUIIRIOIZ++--+-UZ 解：IZ=IR-IO=UI-UZR-UZRLIZmax＞UImax-UZR-UZRLmaxIZmin＜UImin-UZR-UZRLminrZ=ΔIZΔUZ=6.7Ω15-650+61kΩ=161ΩR＞R＜10-65+60.6kΩ=267ΩΔIZ=IZmax-IZmin=45mAUORLVDZRUIIRIOIZ++--+-UZ +-VD1VD2U+-U+-U+-UVD1VD2VD1VD2VD1VD2[例1.2.4]有两个稳压管VD1和VD2，它们的稳压值为UZ1=6V，UZ2=8V，正向导通压降均为UD=0.6V，将它们串联可得到几种稳压值?U=UD+UD=1.2VU=UZ1+UD=6.6VU=UZ1+UZ2=14VU=UD+UZ2=8.6V 第三节双极结型三极管三极管的结构三极管中载流子的运动和电流分配关系三极管的特性曲线三极管的主要参数 半导体三极管晶体管(transistor)双极型三极管或简称三极管制作材料：分类：它们通常是组成各种电子电路的核心器件。双极结型三极管又称为：硅或锗NPN型PNP型 一、三极管的结构三个区发射区：杂质浓度很高基区：杂质浓度低且很薄集电区：无特别要求发射结集电结集电区基区发射区cbeNPN型三极管的结构和符号两个PN结发射结集电结三个电极发射极e基极b集电极c集电极ccollector基极bbase发射极eemitterNPN RbRcVBBVCCecb发射极电流二、三极管中载流子的运动和电流分配关系发射:发射区大量电子向基区发射。2.复合和扩散：电子在基区中复合扩散。3.收集：将扩散过来的电子收集到集电极。同时形成反向饱和电流ICBO。IEICIBICNIENIBNICBO集电极电流基极电流 RbRcVBBVCCecbIEICIBICNIENIBNICBOIC=ICn+ICBOIE=ICn+IBnIC=αIE+ICBO当ICBO<1时的一条输入特性来代表。uBE/ViB/μAO三极管的输入特性uBEiB+-uCE=0VBBRbbec三极管的输入回路 2.输出特性iC/mAOuCE/ViB=80μА6040200iC=f(uCE)iB=常数饱和区放大区截止区：iB≤0的区域，iC≈0，发射结和集电结都反偏。3.饱和区：发射结和集电结都正偏，uCE较小，iC基本不随iB而变化。当uCE=uBE时，为临界饱和；当uCEICS假设成立，三极管工作在饱和区。或者iC=βiB=23mAuCE=VCC-iCRc=-36V发射结正偏集电结正偏，三极管工作在饱和区。RbRcVCCVBBVT2kΩ20kΩ10V10Vβ=50 四、三极管的主要参数2.反向饱和电流β=ΔiCΔiBβ≈ICIB共基直流电流放大系数αα=ΔiCΔiE共基电流放大系数αα=ICIEβ共射直流电流放大系数集电极和基极之间的反向饱和电流ICBO集电极和发射极之间的穿透电流ICEOICEO=（1+）ICBOβ两者满足1.电流放大系数共射电流放大系数β 3.极限参数a.集电极最大允许电流ICMiC/mAOuCE/V三极管的安全工作区过流区集射反向击穿电压U(BR)CEO集基反向击穿电压U(BR)CBOiCuCE=PCM过压区安全工作区ICM过损耗区U(BR)CEOc.极间反向击穿电压b.集电极最大允许耗散功率PCM 五、PNP型三极管PNP型三极管的放大原理与NPN型基本相同，但外加电源的极性相反。VBBuiRbRcVT+-uOVCCVBBuiRbRcVT+-uOVCC 在由PNP型三极管组成的放大电路中，三极管中各极电流和电压的实际方向如图(a)所示，根据习惯三极管中电流和电压的规定正方向如图(b)所示。UCEUBEIEICIBcbe(-)(+)(+)(-)(a)UCEUBEIEICIBcbe(-)(+)(+)(-)(b)定量计算中，将得出PNP型三极管的UBE和UCE为负值。在PNP型三极管的输入和输出特性曲线中，电压坐标轴上将分别标注“-UBE”和“-UCE”。电流实际方向与规定方向一致，电压实际方向与规定方向相反。 第四节场效应三极管结型场效应管绝缘栅场效应管场效应管的主要参数 场效应三极管中参与导电的只有一种极性的载流子（多数载流子），故称为单极型三极管。分类：结型场效应管绝缘栅场效应管增强型耗尽型N沟道P沟道N沟道N沟道P沟道P沟道 一、结型场效应管1.结构N型沟道耗尽层gdsP+P+N沟道结型场效应管的结构和符号栅极漏极源极 2.工作原理uGS=0uGS<0uGS=UGS(off)⑴当uDS=0时，uGS对耗尽层和导电沟道的影响。ID=0ID=0N型沟道gdsP+P+N型沟道gdsP+P+gdsP+P+ 沟道较宽，iD较大。iS=iDiDiSiDiSuGS=0，uGD>UGS(off)uGS<0，uGD>UGS(off)⑵当uDS＞0时，uGS对耗尽层和iD的影响。NP+P+VGGVDDgdsNP+P+VDDgds沟道变窄，iD较小。 NP+P+iDiSVGGVDDP+P+iDiSVGGVDDuGS<0，uGD=UGS(off)，uGS≤UGS(off)，uGDUGS(th)时形成导电沟道VGG导电沟道的形成假设uDS=0，同时uGS>0靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层，若增大uGS，则耗尽层变宽。又称之为反型层导电沟道随uGS增大而增宽。 uDS对导电沟道的影响uGS为某一个大于UGS(th)的固定值，在漏极和源极之间加正电压，且uDSUGS(th)则有电流iD产生，iD使导电沟道发生变化。当uDS增大到uDS=uGS-UGS(th)即uGD=uGS-uDS=UGS(th)时，沟道被预夹断，iD饱和。P型衬底N+N+sgdBVGGN型沟道VDDuDS对导电沟道的影响 ⑶特性曲线IDOUGS(th)2UGS(th)预夹断轨迹可变电阻区恒流区iD/mAuDS/VOuGS/ViD/mAO当uGS≥UGS(th)时截止区转移特性曲线可近似用以下公式表示： 2.N沟道耗尽型MOS场效应管预先在二氧化硅中掺入大量的正离子，使uGS=0时，产生N型导电沟道。当uGS<0时，沟道变窄，达到某一负值时被夹断，iD≈0，称为夹断电压。uGS>0时，沟道变宽，iD增大。gdsBP型衬底N+N+sgdBN型沟道++++++ 耗尽型：uGS=0时无导电沟道。增强型：uGS=0时有导电沟道。特性曲线IDSSUGS(off)预夹断轨迹可变电阻区恒流区IDSSiD/mAuDS/VOuGS=0-2-1+1+2uGS/VOiD/mA截止区 三、场效应管的主要参数1.直流参数⑴饱和漏极电流IDSS是耗尽型场效应管的一个重要参数。它的定义是当栅源之间的电压uGS等于零，而漏源之间的电压uDS大于夹断电压时对应的漏极电流。⑵夹断电压UGS(off)是耗尽型场效应管的一个重要参数。其定义是当uDS一定时，使iD减小到某一个微小电流时所需的uGS值。⑶开启电压UGS(th)UGS(th)是增强型场效应管的一个重要参数。其定义是当uDS一定时，使漏极电流达到某一数值时所需加的uGS值。 ⑷直流输入电阻RGS栅源之间所加电压与产生的栅极电流之比。结型场效应管的RGS一般在107Ω以上，绝缘栅场效应管的RGS更高，一般大于109Ω。2.交流参数⑴低频跨导gm用以描述栅源之间的电压uGS对漏极电流iD的控制作用。⑵极间电容场效应管三个电极之间的等效电容，包括CGS、CGD和CDS。极间电容愈小，管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。 3.极限参数⑴漏极最大允许耗散功率PDM漏极耗散功率等于漏极电流与漏源之间电压的乘积，即pD=iDuDS。⑵漏源击穿电压U（BR)DS在场效应管的漏极特性曲线上，当漏极电流iD急剧上升产生雪崩击穿时的uDS。⑶栅源击穿电压U（BR）GS 一.概念及分类毒物：在一定剂量内能引起中毒的各种外来物质统称毒物。毒物的概念是相对的，其中剂量是至关重要的因素。 中毒的概念中毒：某些物质《如化学制剂、药物、气体、植物、食物等》接触或进入人体后，在一定条件下，与机体相互作用，扰乱或破坏正常生理功能，引起功能性或器质性病变及一系列代谢紊乱，甚至死亡。 按中毒发病的缓急分类.急性中毒:大量或毒性较剧烈的毒物短时间内进入机体并很快引起一系列中毒症状甚至死亡者。.亚急性.慢性中毒：少量毒物多次逐渐进入体内，经过一个时期的积蓄达到中毒浓度而出现中毒症状者。 按中毒的原因分类职业性中毒-----劳动保护生活性中毒-----误服、意外接触、自杀、他杀等。 二、毒物的体内过程（一）毒物的吸收途径1.皮肤粘膜2.呼吸道：最迅速，毒物发挥作用最快的途径。3.消化道：毒物经口食入。 （二）毒物的分布毒物→血液循环→全身的体液和组织→毒物作用部位→引起中毒。 影响毒物体内分布的主要因素毒物分子本身的化学特性。如水溶性、脂溶性等。毒物与血浆蛋白的结合力。毒物与组织的亲和力。毒物通过某些屏障的能力。 （三）毒物的转化毒物在体内代谢转化场所：肝脏＊多数毒物代谢后毒性降低＊少数毒物代谢后毒性增加。如对硫磷（1605）氧化后→对氧磷 （四）毒物的排泄主要排泄途径是肾脏。肺：气体毒物皮肤：少数。可形成皮炎。消化道：重金属如铅、汞等。 三.毒物的作用方式和发病机制1.局部刺激腐蚀作用。如强酸强碱。2.破坏氧的摄取、运输和利用，造成组织缺氧。如co＋Hb，吸入氯气→喉头水肿，支气管痉挛→呼吸道阻塞→窒息3.对酶系统的干扰作用→抑制酶活力。如有机磷、铅、砷。4.破坏细胞膜和细胞器的功能。5.受体竞争。6.影响代谢功能。7.损害机体的免疫功能。 四、急性中毒的常见症状※神经系统※呼吸系统※循环系统※消化系统※泌尿系统※血液系统※眼※皮肤黏膜 五、诊断（一）临床症状：既往健康、突然发生危及生命的临床表现如昏迷、休克、呼吸困难、紫绀等症状，应考虑急性中毒的可能。（二）询问病史：向病人或陪伴者详细追问服毒史及毒物接触史、现场证据、职业、工龄、近期精神状态等。（三）体格检查：仔细观察患者的临床表现是否具有某种毒物中毒的特征。（四）实验室检查：有无某种毒物中毒的特异性证据。 呼吸气味异常※特殊香味：苯、甲苯、二甲苯※水果香味：脂肪族羧酸酯类※苦杏仁味：氰化物、硝基苯※蒜味：有机磷杀虫剂、黄磷、铊※酚味：酚、来苏 皮肤黏膜症状※颜色改变（见下页）※有无灼伤：强酸、强碱、毒气※出汗情况：阿托品—皮肤干燥，有机磷—皮肤多汗※有无皮炎 皮肤颜色改变※樱桃红色：co、氰化物※皮肤紫绀：亚硝酸盐※皮肤潮红：酒精、阿托品※黄疸：鱼胆、毒蕈 毒物检验※毒物鉴定越早越好※选择性保留和采集标本※及时送检，不能立即送检的可置于冰箱中保存，一般不能加入防腐剂 六、急性中毒的紧急处理（一）急性中毒急救原则1、立即中止接触毒物2、清除胃肠道尚未吸收的毒物3、促进已吸收毒物的排出4、应用特殊解毒剂5、支持和对症治疗 （二）急救处理方法1、中止接触毒物※吸入性中毒：立即脱离现场，置于空气流通处。吸氧，保暖，保持呼吸道通畅。※接触性中毒：迅速脱去污染衣物，用大量清水反复冲洗体表，时间15-30分钟。特别注意毛发、指甲缝、皮肤邹褶处。 注意事项※切忌用热水※切忌用少量水擦洗※对于遇水加重损害的毒物，应先擦净毒物，再用水冲洗。 2、清除胃肠道尚未吸收的毒物方法：催吐洗胃导泻灌肠 催吐适应症：中毒早期（口服毒物2-3h内）神志清楚者。方法：★机械催吐：饮水300-500ml后，刺激咽喉壁。反复进行。★药物催吐：吐根碱糖浆15-20ml加水200ml口服；15-30分钟即发生呕吐。 洗胃—常规措施适应症：服毒六小时之内最有效。体位：头低左侧卧位。每次灌入洗液量：300-400ml，温度：25-38℃。洗胃原则：先出后入，快进快出，出入基本平衡。首次抽吸物应留取标本做毒物鉴定。洗胃液：清水或生理盐水。 导泻●常用硫酸钠15-30克或硫酸镁15-20克加水200ml，配成10％溶液口服。毒物已引起严重腹泻时，不必再导泻。 灌肠●常用生理盐水或1％微温皂水高位连续灌肠，促进毒物排除。 3、促进已吸收毒物的排出（1）利尿排毒①静脉补液②碱化尿液③酸化体液：维生素c8克/d④渗透利尿：20％甘露醇，维持尿量200-300ml/h。（2）血液净化法：血液透析法、血液灌流法和血浆置换术。 4、应用特殊解毒剂有机磷农药中毒：解磷定、氯磷定、阿托品阿片类、吗啡：纳洛酮亚硝酸盐：美蓝急性氰化物：亚硝酸钠5、支持和对症治疗 有机磷农药中毒●有机磷农药是我国目前普遍生产和广泛使用农药。●急性有机磷农药中毒已成为我国急症抢救的主要病种之一。 （一）病因1、生产性中毒：是指农药在生产、运输、保管和使用过程中发生的中毒。配制过程：逆风配药、配制浓度过高、溅入眼中等。喷洒过程：穿短袖衣裤、不戴口罩帽子、连续工作时间过长、操作后不洗手就吃食物等。2、生活性中毒：误服、自杀、谋杀。食用近期施过农药的蔬菜和瓜果；误食被农药毒死的家禽、鱼虾等。 （二）中毒机制●抑制体内胆碱酯酶的活性（三)临床表现1、发病时间—与毒物的品种、剂量和侵入途径相关。◆呼吸道：30分钟◆口服中毒：10分钟-2h◆皮肤接触中毒：2-6h2、特殊气味：中毒者的皮肤、衣服、呕吐物、呼吸气味带有特征性的“蒜臭味”。 3、临床症状和体征（1）毒蕈碱样症状出现最早，主要表现：1、平滑肌痉挛：瞳孔缩小、视物模糊、呼吸困难，严重致肺水肿。2、腺体分泌增加：多汗、流涎。3、消化道症状：恶心、呕吐、腹痛、腹泻。（2）烟碱样症状早期：肌束颤动。常见于面部、胸部。有全身紧束感，胸部压迫感。晚期：肌肉痉挛、肌麻痹。逐渐发展为全身抽搐，最后可因呼吸肌麻痹而死亡。（3）中枢神经系统症状烦躁不安、谵妄，严重者昏迷、抽搐、惊厥。 4、中毒程度评估分度血胆碱酯酶活力（正常80-100%）轻度70-50%中度50-30%重度<30% 5、实验室检查全血胆碱酯酶活力测定：是判断中毒程度的重要指标。降至70%以下即有意义。 四、救护措施1、清除毒物◆接触中毒：立即脱离中毒现场，脱去污染衣服。清水冲洗全身污染部位。◆口服中毒：a洗胃：用清水、生理盐水反复洗胃，直至洗出液无农药气味为止。b硫酸镁导泻2、特殊解毒药◆阿托品：对抗毒蕈碱样症状。◆胆碱酯酶复活剂（解磷定、氯解磷定）恢复胆碱酯酶活性。◆用药原则：尽早、足量、联合、重复用药。3、对症处理肺水肿用阿托品治疗，休克用升压药，脑水肿应用脱水剂和糖皮质激素，心律失常常用可用抗心律失常药，心跳停止时实施心肺复苏等。 4、一般护理立即脱离中毒环境。立即洗胃，注意出入平衡。迅速建立静脉通道，尽快输液，加速毒物经尿排泄。保持呼吸道通畅，充分給氧。密切观察病情变化，预防并发症。神志清醒后24-48小时内禁食水，病情好转后逐渐恢复正常饮食。 5、观察要点急性有机磷农药中毒病情危急，常因肺水肿、脑水肿、呼吸衰竭三大并发症而死亡。（1）如患者出现咳嗽、胸闷、咳粉红色泡沫痰→急性肺水肿（2）如患者有意识障碍伴有头痛、呕吐、惊厥、抽搐→急性脑水肿（3）如呼吸频率、节律及深度改变→呼吸衰竭 “阿托品化”指征瞳孔较前散大颜面潮红皮肤干燥，口干肺部湿罗音显著减少或消失心率加快（100-120次/min） 应用特殊解毒药的护理阿托品化后，减少阿托品用量，防止中毒。达阿托品化后应逐渐减少用量，不能突然停药。胆碱酯酶复活剂禁止与碱性药物配伍应用。病情好转后药物决不能减量过快或骤然停药，应继续观察使用3-5天，防止病情反复恶化。 一氧化碳中毒一、病因1、工业中毒：常见于意外事故，多数为集体中毒。2、日常生活中毒：煤炉取暖、煤气热水器、自杀、他杀等。二、发病机制呼吸道吸入◆co→co+Hb→Hbco◆co与Hb亲和力比氧与Hb亲和力大200倍◆Hbco的解离速度比Hbo2慢3600倍。◆Hbco不能携带氧，而且还阻碍氧的释放和传递，导致低氧血症，引起组织缺氧。三、护理评估1、病史：有co吸入史。2、临床表现：轻度中毒、中度中毒、重度中毒 （1）轻度中毒血液Hbco含量：10%-20%表现：头晕头痛、恶心、呕吐、四肢无力、心悸、视力模糊及时脱离中毒环境，吸入新鲜空气，症状可迅速消失。 （2）中度中毒血液Hbco含量30-40%表现：皮肤黏膜呈樱桃红色（口唇、面色潮红），R、P加快，四肢张力增高，多数伴有浅昏迷。脱离中毒环境，积极抢救，数小时后可清醒。 （3）重度中毒血液Hbco含量>50%表现：深昏迷，呼吸困难。严重者可死于呼吸循环衰竭。抢救后可存活，但可留有神经系统后遗症。'