最新9-成全一棵树课件PPT.ppt 36页

'9-成全一棵树 六年级语文上册冀教版 9成全一棵树课件PPT 课件PPT近反义词字词乐园丢弃—遗弃渴求—渴望近义词：反义词：壮实—孱弱旺盛—衰败 课件PPT近反义词字词乐园竟然—居然怔住—愣住近义词：反义词：犹豫—坚决复杂—简单 谜语识字：一人一张口，口下长只手。（打一字）拿加减识字：日+王=（）旺字词乐园趣味识字课件PPT 课件PPT字词乐园词语释义渴求：迫切地追求。造句：我们渴求知识和真理。明丽：明净秀丽。造句：阳光透过玻璃把明丽的光辉投射在我们身上。挺拔：直立而高耸。造句：雨水冲洗过的柏树更加苍翠挺拔。 品词析句孩子每天都高高兴兴的，别人送他一个绰号：阳光。课文详解“阳光”包含了孩子那对未来充满希望的阳光般的心，以及孩子每天上学时表现出来的快乐。课件PPT 品词析句上了学的孩子还总是惦记着那几棵树，经常一拐一拐地拎着水桶，奔走在水塘和树之间。课文详解这句话表现了孩子做事有始有终，哪怕一件小小的事也要坚持到底的品质。这也正是他能获得成功的原因。课件PPT 课件PPT问题探究怎样理解“成全一棵树”？一个孩子救了一棵险些被丢弃的小树苗，使之成长为一棵大树；母爱的滋润，让一个可能处于社会边缘的残疾孩子成长为一名成功人士。无论是孩子还是母亲，他们都做了一件相同的事——成全一棵“树”！课文详解 结构图解小树——又细又小枯萎长大坚韧孩子——最小残疾上学爱课件PPT成全一棵树坚定的信念 概括主题本文以小树为线索，记叙了一棵枯萎细小的树，在残疾孩子坚定的信念和细心的照料下茁壮成长，同时残疾孩子经过母亲的精心栽培获得成功的故事。告诉我们：做任何事都要怀有坚定的信念，这样才会成功。课件PPT 借物喻人，就是借某一事物的特点，来描写人的一种品格，通常在作文中出现，是作文中用来表现、突出中心思想的常用方法。无论写人、记事，还是写景、状物，正确运用借物喻人的方法，可以增强文章的表现力和感染力。运用借物喻人的方法时需注意，所描述事物的特点要与人的品格有相似之处，让人读了文章，能清楚地认识到借物要说明什么，赞誉怎样的人。写法点拨课件PPT 拓展提升有关自强、自立的名言1.天行健，君子以自强不息。（《周易》）2.面对光明，阴影就在我们身后。（海伦·凯勒）3.有勇气做真正的自己，单独屹立，不要想做别人。（林语堂）课件PPT 心灵感悟课件PPT母爱是伟大的，她像清泉一样滋润着孩子的心灵，而孩子坚定的信念又像一棵小树一样，茁壮成长，终有一天成长为一棵参天大树。 本文以（小树）为线索，讲述了一棵枯萎细小的树在（残疾孩子）的照料下茁壮成长，同时残疾孩子在（母亲）的栽培下获得成功的故事。随堂练习1.根据课文填空。课件PPT 随堂练习2.按要求改写句子。a.小树茁壮成长，他很高兴。（改成反问句）小树茁壮成长，他怎么能不高兴呢？b.孩子背着母亲用布片为他缝制的书包，高高兴兴地上学去了。（缩句）孩子背着书包，上学去了。课件PPT 离子注入将杂质离化、加速，注入到晶体内部经退火形成特定杂质分布的技术。 离子注入的特点注入杂质的纯度高杂质浓度范围选择宽可精确控制杂质的分布和深度，均匀性好低温工艺掺杂工艺灵活横向扩散小 离子注入的设备离子源离子加速质量分析器扫描装置工艺腔（终端台） 等离子体技术在VLSI中的应用1.等离子体清洗技术2.离子注入3.干法刻蚀4.等离子体增强化学气相淀积（PECVD） 干法刻蚀干法刻蚀：利用等离子体激活的化学反应或者是利用高能离子束轰击完成去除物质的方法。干法刻蚀主要分为以下三种：一种是利用辉光放电产生的活性粒子与需要刻蚀的材料发生化学反应形成挥发性产物完成刻蚀，也称为等离子体刻蚀。第二种是通过高能离子轰击需要刻蚀的材料表面，使材料表面产生损伤并去除损伤的物理过程完成刻蚀，称为溅射刻蚀。两种结合产生第三种刻蚀方法称为反应离子刻蚀。 等离子体刻蚀原理等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。 等离子刻蚀的原理等离子体中存在有离子、电子和游离基（游离态的原子、分子或原子团）等，这些游离态的原子、分子或原子团等活性粒子，具有很强的化学活性，位于硅片表面的薄膜材料原子就会与等离子体中的激发态游离基发生化学反应，生成挥发性的物质，从而使薄膜材料收到刻蚀。通过化学反应完成，有比较好的选择性。 溅射刻蚀的原理等离子体中的高能离子射到硅片上的薄膜表面时，通过碰撞，高能离子与被撞击的原子之间将发生能量和动量的转移，如果轰击离子传递给被撞原子的能量比原子的结合能还要大，就会使被撞原子脱离原来的未知飞溅出来，产生溅射现象。各向异性刻蚀，但刻蚀的选择性差。 反应离子刻蚀介于溅射刻蚀与等离子刻蚀之间的干法刻蚀技术，同时利用了物理溅射和化学反应的刻蚀机制。由于化学和物理作用都有助于实现刻蚀，因此可以灵活地选择工作条件以获得最佳的刻蚀效果。 等离子体技术在VLSI中的应用1.等离子体清洗技术2.离子注入3.干法刻蚀4.等离子体增强化学气相淀积（PECVD） PECVD的原理利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。 PECVD的特点等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围。 PECVD的特点PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（<450℃）。因此带来的好处：节省能源，降低成本提高产能减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减 PECVD一般说来,采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散输运，同时发生各反应物之间的次级反应到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并与表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出 PECVD的种类直接式—基片位于一个电极上，直接接触等离子体（低频放电10-500kHz或高频13.56MHz）间接式—基片不接触激发电极（如2.45GHz微波激发等离子） 直接式的PECVD'