最新硅工艺 第一章 概论习题参考答案课件PPT.ppt 19页

'硅工艺第一章概论习题参考答案 列举得到半导体级硅的三个步骤。半导体级硅有多纯？答：步骤如下1）用碳加热硅石制备冶金级硅SiO2(s)+2C(s)=Si(s)+2CO(g)（吸热）2）通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷Si(s)+3HCl(g)=SiHCl3(g)+H2(g)（放热）3）通过化学反应用氢气将三氯硅烷还原达到提纯的目的SiHCl3(g)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)（吸热）半导体级硅纯度为99.9999999%，也就是平均十亿个硅原子中才有一个杂质原子。 2、列举七个衡量硅片质量的标准？物理尺寸：直径、厚度、晶向位置、定位边、硅片形变平整度：通过硅片的上表面和一个规定参考面的距离得到微粗糙度：硅片表面最高点和最低点的高度差别氧含量：控制含量及均匀性晶体缺陷：目前要求每平方厘米的晶体缺陷少于1000个颗粒：典型值是200mm的硅片表面每平方厘米少于0.13个微粒，颗粒尺寸要大于0.08微米体电阻：控制整个体硅中电阻率的均匀性 5、在双极型集成工艺中，埋层杂质的选择原则是什么？1）杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低；2）高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时埋层杂质上推到外延层的距离；3）与硅衬底的晶格匹配好，以减小应力。最理想的隐埋层杂质为As。 6、在双极型集成工艺中，外延层厚度的设计有怎样的要求？外延层电阻率的选择为什么要进行折中考虑？为了使结电容小、击穿电压BVCBO高，以及在以后的热处理过程中外延层下推的距离小，epi应选得高一些；为了使集电极串联电阻rCS小、饱和电压VCES小，又希望epi低一些。这两者是矛盾的，需加以折衷。外延层厚度（Tepi）≥基区杂质结深+收集区厚度+埋层上推距离+后续各工序中生长氧化层所消耗的外延层厚度。 实验四生物因素对细菌的影响病原性球菌 实验内容操作抗生素的抗菌试验葡萄球菌凝固酶试验示教病原性球菌形态与染色性观察病原性球菌培养特性观察 实验目的熟悉生物因素对细菌的作用掌握葡萄球菌、链球菌、肺炎链球菌在血平板上的培养特性熟悉血浆凝固酶试验了解脓汁标本中病原性球菌的分离与鉴定方法 抗生素的抗菌试验4人一组菌株：金黄色葡萄球菌、表皮葡萄球菌大肠杆菌1号、2号密集划线红青链抑菌圈 血浆凝固酶试验玻片分为3格，分别加兔血浆、兔血浆和盐水一滴于载玻片上，挑取试验菌和对照菌分别与它们混匀，立即观察结果。 化脓性球菌革兰阳性菌：葡萄球菌，链球菌，肺炎链球菌革兰阴性菌：脑膜炎奈瑟菌，淋病奈瑟菌N.gonorrhoeaeN.meningitidisS.pneumoniaestaphylococcusStreptococcus 菌落中等大小、不透明、表面光滑、边缘整齐完全溶血、金黄色金黄色葡萄球菌不溶血、白色表皮葡萄球菌不溶血、柠檬色腐生葡萄球菌葡萄球菌鉴别 菌落小、半透明、表面光滑、边缘整齐G+、链状完全溶血乙型溶血性链球菌不溶血丙型溶血性链球菌草绿色不完全溶血环甲型链球菌肺炎链球菌胆汁溶菌试验-（混浊）+（澄清）链球菌鉴别 脓汁或喉拭子涂片、革兰染色、镜检血琼脂平板观察菌落特征及溶血情况生化反应、致病力试验及药敏试验脓汁标本病原性球菌的分离鉴定由脑脊液标本中发现中性粒细胞内外有G-双球菌，可初步诊断为脑膜炎球菌由泌尿、生殖系统来源的标本中发现中性粒细胞内外有G-双球菌，可初步诊断为淋球菌37℃24h 脓汁标本病原性球菌的分离鉴定根据菌落特点及涂片检查作出初步判断，然后：菌落中等大小、完全溶血、不透明、金黄色、G+，葡萄状排列，可能是金黄色葡萄球菌，可进一步做血浆凝固酶试验和甘露醇发酵试验，确定其致病力。菌落小、半透明、完全溶血、G+、链状，为乙型溶血性链球菌菌落小、半透明、绿色不完全溶血环，G+、短链状，为甲型溶血性链球菌或肺炎链球菌，通过胆汁溶菌和菊糖发酵试验进一步鉴别。 示教观察病原性球菌形态与染色性观察病原性球菌培养特性'