最新肖特基势垒二极管的构造原理及特性(1)课件PPT.ppt 21页

'肖特基势垒二极管的构造原理及特性(1) 肖特基势垒二极管的构造原理及特性体作为工作层，在其上面再形成零点几的二氧化硅绝缘层，光刻并腐蚀直径为零点几或几十的小洞，再用金属点接触压接一根金属丝或在面接触中淀积一层金属和N型半导体形成金属半导体结，在该点上镀金形成正极，给另一面层镀金形成负极，即可完成管芯。肖特基势垒二极管有两种管芯结构：点接触型和面结合型，如图2-1所示。点接触型管芯用一根金属丝压接在N型半导体外延层表面上形成金半接触。面结合型管芯先要在N型半导体外延层表面上生成二氧化硅(SiO2)保护层，再用光刻的办法腐蚀出一个小孔，暴露出N型半导体外延层表面，淀积一层金属膜(一般采用金属钼或钛，称为势垒金属)形成金半接触，再蒸镀或电镀一层金属(金、银等)构成电极。 肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-1两种肖特基势垒二极管结构(a)点接触型；(b)面结合型 肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-2金属-半导体结在外加电压作用下的情况（a）不加偏压（b）加正向偏压（c）加反向偏压 肖特基势垒二极管的构造原理及特性③反偏：金属一侧接负极，半导体一侧接正极外加电场与内建电场方向一致、耗尽层变厚、扩散趋势削弱、热电子发射占优势，但这部分电子数量很少，不会是发射电流增大。在反偏电压的规定范围内，只有很小的反向电流。在反偏情况下，肖特基势垒呈大电阻特性。反偏电压过大时，则导致反向击穿。肖特基势垒具有单向导电特性，与PN结类似但只有电子运动，反应灵活，使用频率高。二、肖特基势垒二极管的特性1、伏安特性 肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-3肖特基势垒二极管的伏安特性曲线 肖特基势垒二极管的构造原理及特性各参数表征的意义：－－反向饱和电流，n－－工艺因子－－波尔兹曼常数－－电子电荷T－－工作温度V－－偏压，单位为伏2、结电阻其中 肖特基势垒二极管的构造原理及特性正偏时：随着I上升，迅速下降反偏时：为一个几兆欧的固定大电阻3、结电容其中，4、寄生参数①其中分别为N体电阻衬底电阻电极电阻②引线电感（零点几毫微亨） 肖特基势垒二极管的构造原理及特性③封装电容（零点几皮法）三、等效电路和特性参数1、等效电路如图2-42、特性参数截止频率由前面可知，、都很小，故截止频率很高，可达到KHz，工作频率噪声温度比总输出噪声功率与KTB之比 肖特基势垒二极管的构造原理及特性图2-4肖特基二极管等效电路 肖特基势垒二极管的构造原理及特性理想情况下，实际中，一般中频阻抗是指在额定本振功率时，对指定中频呈现的阻抗。我们将在以后讨论基本指标、噪声系数和变频损耗 13星星的新朋友义务教育小学语文(S)版二年级上册 气象卫星 通信卫星东方红三号 地球资源卫星 “太阳神IIA”侦察卫星 导航卫星 '